ნახევარგამტარული ელემენტების ელემენტის ბაზა მუდმივად იზრდება. ყოველი ახალი გამოგონება ამ სფეროში, ფაქტობრივად, ცვლის მთლიან იდეას ელექტრონული სისტემების შესახებ. მიკროსქემის დიზაინის შესაძლებლობები იცვლება, მათზე დაფუძნებული ახალი მოწყობილობები ჩნდება. პირველი ტრანზისტორის გამოგონებიდან (1948) დიდი დრო გავიდა. გამოიგონეს "p-n-p" და "n-p-n" სტრუქტურები, ბიპოლარული ტრანზისტორები. დროთა განმავლობაში გამოჩნდა MIS ტრანზისტორიც, რომელიც მოქმედებდა ელექტრული ველის მოქმედების ქვეშ ზედაპირული ნახევარგამტარული ფენის ელექტრული გამტარობის შეცვლის პრინციპით. აქედან გამომდინარე, ამ ელემენტის სხვა სახელია ველი.
აბრევიატურა MIS (მეტალ-დიელექტრიკულ-ნახევარგამტარი) ახასიათებს ამ მოწყობილობის შიდა სტრუქტურას. მართლაც, მისი კარიბჭე იზოლირებულია სანიაღვრედან და წყაროდან თხელი არაგამტარი ფენით. თანამედროვე MIS ტრანზისტორს აქვს კარიბჭის სიგრძე 0,6 მკმ. მასში მხოლოდ ელექტრომაგნიტური ველი შეიძლება გაიაროს - ეს არის ის, რაც გავლენას ახდენს ნახევარგამტარის ელექტრულ მდგომარეობაზე.
მოდით შევხედოთ როგორ მუშაობს FET და გავარკვიოთ რა არის მისი მთავარი განსხვავებაბიპოლარული "ძმა". როდესაც საჭირო პოტენციალი გამოჩნდება, მის კარიბჭეზე ჩნდება ელექტრომაგნიტური ველი. ეს გავლენას ახდენს გადინების წყაროს შეერთების წინააღმდეგობაზე. აქ მოცემულია ამ მოწყობილობის გამოყენების რამდენიმე უპირატესობა.
- ღია მდგომარეობაში, გადინების წყაროს გადასვლის წინააღმდეგობა ძალიან მცირეა და MIS ტრანზისტორი წარმატებით გამოიყენება როგორც ელექტრონული გასაღები. მაგალითად, მას შეუძლია მართოს ოპერაციული გამაძლიერებელი დატვირთვის შუნტირებით ან მონაწილეობა მიიღოს ლოგიკურ სქემებში.
- ასევე აღსანიშნავია მოწყობილობის მაღალი შეყვანის წინაღობა. ეს პარამეტრი საკმაოდ აქტუალურია დაბალი დენის სქემებში მუშაობისას.
- გადინების წყაროს შეერთების დაბალი ტევადობა შესაძლებელს ხდის MIS ტრანზისტორის გამოყენებას მაღალი სიხშირის მოწყობილობებში. პროცესის დროს არ არის დამახინჯება სიგნალის გადაცემაში.
- ელემენტების წარმოებაში ახალი ტექნოლოგიების განვითარებამ განაპირობა IGBT ტრანზისტორების შექმნა, რომლებიც აერთიანებს საველე და ბიპოლარული ელემენტების დადებით თვისებებს. მათზე დაფუძნებული დენის მოდულები ფართოდ გამოიყენება რბილ სტარტერებსა და სიხშირის გადამყვანებში.
ამ ელემენტებთან დაპროექტებისა და მუშაობისას მხედველობაში უნდა იქნას მიღებული, რომ MIS ტრანზისტორები ძალიან მგრძნობიარეა წრეში გადაჭარბებული ძაბვისა და სტატიკური ელექტროენერგიის მიმართ. ანუ, მოწყობილობამ შეიძლება მარცხი განიცადოს საკონტროლო ტერმინალებთან შეხებისას. ინსტალაციის ან დემონტაჟის დროს გამოიყენეთ სპეციალური დამიწება.
ამ მოწყობილობის გამოყენების პერსპექტივები ძალიან კარგია. მადლობათავისი უნიკალური თვისებებით, მან იპოვა ფართო გამოყენება სხვადასხვა ელექტრონულ აღჭურვილობაში. ინოვაციური ტენდენცია თანამედროვე ელექტრონიკაში არის დენის IGBT მოდულების გამოყენება სხვადასხვა სქემებში მუშაობისთვის, ინდუქციური სქემების ჩათვლით.
მათი წარმოების ტექნოლოგია მუდმივად იხვეწება. მიმდინარეობს განვითარება ჩამკეტის სიგრძის მასშტაბურობის (შემცირების) მიზნით. ეს გააუმჯობესებს მოწყობილობის უკვე კარგ მუშაობას.
